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第十一届全国MOCVD学术会议在苏州召开（图）
第十一届 MOCVD 学术会议
2010/1/25
2010年1月13日至14日，由中国有色金属学会主办，中国科学院半导体研究所、国家半导体照明工程研发及产业联盟、苏州市吴中区人民政府和苏州吴中经济开发区联合承办的第十一届全国MOCVD学术会议在苏州隆重召开。来自高等院校、科研机构、相关企业等150余家单位的350余位代表出席了本次会议，其中13家企业在会议举办期间做了现场展示。
用MOCVD技术生长GaN: Mg外延膜，在550 ~ 950℃温度范围内，对样品进行热退火，并进行室温Hall、光致发光谱（PL）测试.Hall测试结果表明，850℃退火后空穴浓度达到8e17cm-3以上,电阻率降到0.8Ω·cm以下. 室温PL谱有两个缺陷相关发光峰，位于2.8eV的蓝光峰（BL）以及3.27eV附近的紫外峰（UVL) .蓝光峰对紫外峰的相对强度（BL/UVL）在550℃退火后...
MOCVD-Grown InGa/GaAs Emitter Delta Doping Heterojunction Bipolar Transistors
Delta doping Heterojunction bipolar transistor
2010/12/7
The influence of delta doping sheet at base-emitter (BE) junction for an InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) with a 75Å undoped spacer layer is investigated. A common emitter curr...