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东南大学两项研究成果发表于电子器件领域顶会IEDM（图）
东南大学 电子器件 IEDM IEEE
2023/7/17
近日，第68届IEEE国际电子器件年会(International Electron Devices Meeting，IEDM)在美国旧金山举行。东南大学刘斯扬、孙伟锋教授课题组的两项研究成果在此次会议上发表，是东南大学作为第一单位首次在IEDM会议上发表研究成果。
山东大学信息学院陈杰智教授课题组在微电子器件领域顶级国际会议(IEDM 2021)发表闪存存算一体芯片等三项最新研究成果（图）
山东大学信息学院 陈杰智 微电子器件 顶级国际会议 IEDM 闪存存算一体 芯片
2021/12/16
近日，第67届电气电子工程师学会(IEEE)国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting，IEDM)在线上线下联合举行，山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组的三篇研究论文“In-depth Understanding of Polarization Switching Kinetics in Polycrystalline Hf0.5Zr0....
电子科技大学电子科学与工程学院博士生受邀在IEDM 2020 T-ED Special Issue发表文章
电子科技大学电子科学与工程学院 IEDM 2020 T-ED Special Issue 电子器件
2021/4/25
近日，电子科技大学电子科学与工程学院（示范性微电子学院）功率集成技术实验室（PITEL）博士生袁章亦安受微电子器件领域顶级会议IEEE International Electron Devices Meeting （IEDM）程序委员会主席Tibor Grasser邀请，在IEDM 2020 T-ED Special Issue上发表题为“Improved Model on Buried-Oxid...
由于新冠病毒疫情的影响，第66届国际电子器件大会（IEDM）于2020年12月12日至18日首次采取线上会议形式，也为这个历史悠久的顶级学术会议带来不一样的感受。在本届IEDM上，北京大学黄如院士团队发表了4篇高水平学术论文，研究成果覆盖了先进逻辑器件、神经形态器件、神经网络硬件、智能传感器等多个领域，这也是北京大学微纳电子研究院连续14年在IEDM大会上发表论文，其中2篇论文来自类脑智能芯片中心...
2020年12月12-18日，2020 IEEE国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting，IEDM）在美国旧金山通过线上召开。电子科技大学电子科学与工程学院（示范性微电子学院）功率集成技术实验室（PITEL）在大会上发表题为《An Improved Model on Buried-Oxide Damage for Total-Ionizing-...
近日，第66届电气电子工程师学会(IEEE)国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting，IEDM)在线上举行，山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组的两篇研究论文《Deep Insights into the Failure Mechanisms in Field-cycled Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2Thin F...
微电子学院周鹏教授团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管（GAA，Gate All Around），实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一，为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径。
上海微系统所异质集成XOI课题组利用“万能离子刀”剥离和转移技术，将单晶压电薄膜与高声速、高导热的支撑衬底集成，研制出可同时激发声表面波和兰姆波的压电异质衬底，并基于上述衬底验证了适用于3G、4G、5G应用的高性能射频声学器件。相关技术方案于12月15日以“Surface Wave and Lamb Wave Acoustic Devices on Heterogenous Substrate f...
北京大学信息科学技术学院微纳电子学系6篇论文在IEDM 2019大会发表
北京大学信息科学技术学院 微纳电子学 6篇论文 IEDM 2019 大会
2019/12/27
近日，以北京大学信息科学技术学院微纳电子学系为第一作者单位的6篇论文在美国旧金山举行的第65届电气电子工程师学会（IEEE）国际电子器件会议（IEDM 2019）上发表。参会的北京大学师生与世界各地的研究人员进行了充分的交流，向国际电子器件领域的同行展示了北京大学最新的研究成果。这6篇论文内容涉及新型神经形态器件、器件的涨落可靠性、新型沟道材料晶体管等多个学术前沿领域，详细介绍如下：
近日，我院缪向水团队类脑计算工作被IEEE顶级会议IEDM接收，IEEE国际电子器件会议（IEEE International Electron Devices Meeting，缩写IEDM）是世界上报告半导体和电子器件技术、设计、制造、物理和建模领域的技术突破的杰出论坛，也是微电子器件领域的顶级会议。IEDM作为全球最大最具影响力的论坛之一，在推动诸如微纳电子器件缩微持续进展、三维集成和各类先进...
陈杰智教授课题组论文在微电子器件领域顶级国际会议IEDM上发表
陈杰智 教授 课题组论文 微电子器件 领域 顶级国际会议IEDM 发表
2018/12/17
2018年12月1日至12月5日，第64届电气电子工程师学会（IEEE）国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting，IEDM)在美国旧金山举行，山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组的论文《Computational Design of Silicon Contacts on 2D Transition-Metal Dichalcogenid...
中山大学电子与信息工程学院Kai Wang（王凯）教授课题组论文再次入选微电子领域国际顶尖会议International Electron Device Meeting（IEDM）
中山大学电子与信息工程学院 王凯教授课题组 微电子
2017/11/15
2017年9月26日，我校电子与信息工程学院 Kai Wang（王凯）教授课题组的论文《Mechanical-Field-Coupled Thin-Film Transistor for Tactile Sensing with mN Dynamic Force Detection Capability and Wearable Self-Driven Heart Rate Monitoring ...
山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组关于三维存储器的论文被微电子领域国际顶级会议 IEDM 2017 接收
山东大学信息科学与工程学院 陈杰智教授课题组 三维存储器 微电子领域 国际顶级会议
2017/10/25
近日，山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组关于3D NAND闪存存储器可靠性物理机理的研究工作论文被微电子领域的国际顶级会议IEDM 2017 (IEDM，International Electron Devices Meeting，即“IEEE国际电子器件大会”)接收。山东大学信息科学与工程学院为论文第一完成单位，2016级博士研究生武继璇为第一作者。这是山东大学首次以第一作者和通讯作者单...
西安电子科技大学微电子学院郝跃院士研究团队在负电容锗与锗锡沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）研究领域取得了突破性进展，首次通过实验系统地验证了铁电MOSFET器件中的负电容效应以及负电容对器件电流和亚阈值摆幅的提升作用。日前，在美国旧金山举行的2016年IEEE International Electron Devices Meeting（简称IEDM）会议上报道了该研究成果，并收录...
International Electron Device Meeting (通常简称为IEDM)是IEEE电子器件学会的年会，论文挑选严苛，其学术水平为国际该领域所共识。上海微系统与信息技术研究所一室的科研人员自从2004年发表了打破我国十几年论文荒的第一篇论文之后，又在2006年、2007年和2008年连续发表三篇论文。同一单位能够连续三年发表IEDM论文，在国内仅此上海微系统与信息技术研究所...