搜索结果: 151-165 共查到“知识要闻 半导体技术”相关记录1118条 . 查询时间(4.219 秒)
凭借轻巧、灵活和自发光等优点，有机发光二极管（OLED）被广泛认为是主流的第三代显示技术。而有机电致发光材料是OLED的关键组分之一。能够通过高能级通道迅速发生逆系统间跃迁（RISC）过程的“热激子”材料在OLED界备受关注。有研究显示，通过热激子路径可以获得理论上的100%内部量子效率（IQE）和低滚降速率。然而，红色热激子材料在聚集态和团簇态下仍不可避免地遭受聚集引起的淬灭（ACQ），导致相对...
后摩尔时代，依靠缩小尺寸提升器件集成度的硅基CMOS技术面临物理原理和工艺技术的挑战。具有高性能、低功耗和低成本优势的Chiplet技术成为延续摩尔定律的重要选择之一。该技术利用先进封装工艺，将多个异构芯片集成为特定功能的系统芯片，从而满足人工智能等领域的应用需求。然而，由于Chiplet异构集成密度大幅增加，热耗散问题对异构系统的可靠性造成挑战。如何针对Chiplet异构集成系统的复杂性，提出新...
中国电子科技集团公司43所三代半导体封装工艺实现航空航天领域国内首次应用
中国电科43所 半导体 封装工艺 航空航天
2023/11/12
近日，中国电科43所“活性金属钎焊（AMB）基板一体化封装”先进工艺实现了电路、布线、封装等多项技术升级，相关技术指标达到国际先进水平。该工艺应用于三代半导体领域，43所在此技术基础上进一步开发的多款AMB基板一体化封装产品，实现航空航天领域的国内首次应用。
中国科学院研究发展出单层二硫化钼低功耗柔性集成电路（图）
二硫化钼低 集成电路 二维半导体
2023/7/4
柔性电子是新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是备受瞩目的柔性集成电路沟道材料。然而，推动二维半导体柔性集成电路走向实际应用并形成竞争力，降低器件功耗、同时保持器件性能是关键技...
柔性电子是新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是备受瞩目的柔性集成电路沟道材料。然而，推动二维半导体柔性集成电路走向实际应用并形成竞争力，降低器件功耗、同时保持器件性能是关键技...
长飞光纤光缆股份有限公司拟投资60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目
长飞光纤 第三代 半导体 功率器件
2023/11/12
2023年6月26日，长飞光纤光缆股份有限公司（以下简称“长飞光纤”）发布公告，其子公司安徽长飞先进半导体有限公司（以下简称“长飞先进半导体”）拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目。其中，长飞光纤拟出资人民币28,100.00万元。
中国科大在毫米波频率综合器芯片设计领域取得重要进展（图）
芯片设计 电子 集成电路
2024/6/16
2023年6月28日，中国科大微电子学院胡诣哲与林福江课题组设计的一款基于全新电荷舵采样（Charge-SteeringSampling, CSS）技术的极低抖动毫米波全数字锁相环（CSS-ADPLL）芯片入选2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits（以下简称VLSI Symposium）。VLSI Symposium是超大规模集成电路芯片设计和...
中国科学院物理研究所单层二硫化钼低功耗柔性集成电路（图）
单层二硫化钼 集成电路 半导体材料
2023/6/28
柔性电子是一种新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是一种备受瞩目的柔性集成电路沟道材料。然而，推动二维半导体柔性集成电路走向实际应用并形成竞争力，降低器件功耗、同时保持器件性能...
2023年“职教国培”示范项目集成电路类专业带头人培训班顺利开班（图）
职教国培 集成电路 培训班
2023/10/13
2023年6月20日，2023年“职教国培”示范项目集成电路类专业带头人培训班在浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）开班。国家教育行政学院教师工作与研究部副主任赵玄，中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明，科创中心主任、浙江大学微纳电子学院常务副院长杨建义，浙江大学继续教育学院院长刘继荣、副院长姚青出席开班仪式，来自全国高职院校的50余位集成电路专业带头人参加培训。开班仪式由浙江大学集...
中国科学院半导体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展（图）
量子点激光器 硅基光电子 集成芯片
2023/7/7
硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础，将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，极大提升芯片的信息传输和处理能力，可广泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。由于硅（Si）材料发光效率低，因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓（GaAs）外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。由于Si与Ga...
近日，西安电子科技大学微电子学院在高速模数转换芯片（ADC）方向取得重要进展。在集成电路设计领域国际顶级期刊JSSC(IEEE Journal of Solid-State Circuits)上发表了题为“A 0.004-mm2 3.65-mW 7-bit 2-GS/s Single-Channel GRO-Based Time-Domain ADC Incorporating Dead-Zone...
近日，苏州可川电子科技股份有限公司(简称可川电子)发布对外投资设立控股子公司的公告，公司为把握全球半导体行业光芯片、光模块产业发展机遇，公司计划与自然人吕志远签署《英特磊半导体技术(上海)股份有限公司之股东协议》(以下简称“《股东协议》”，共同发起设立英特磊，主要从事光通信模块及激光传感器等业务。
2023年6月14日，北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、教育部长江特聘教授沈波教授受南方科技大学深港微电子学院与材料科学与工程学院联合邀请，于工学院北楼506举办讲座，报告主题为《氮化物宽禁带半导体大失配和缺陷控制》。沈波教授在分析氮化物半导体大失配异质外延物理本质基础上，主要讨论两点: (1)蓝宝石村底上AIN、高AI组分A1GaN 及其量子阱结构的外延生长和p型掺杂: (2)Si...
近日，天津赛米卡尔科技有限公司和天津华慧芯科技集团有限公司宣布达成战略合作。双方将在GaAs基光电器件的设计研发和工艺创新等多个方面展开深度合作，共同推进半导体芯片领域的发展和进步。
东南大学集成电路学院正式揭牌（图）
东南大学 集成电路
2023/7/17
2023年 6月6日下午，东南大学建校121周年之际，东南大学集成电路学院正式揭牌。邓中翰院士、黄维院士、丁荣军院士、刘永坚院士、吴汉明院士、崔铁军院士，江苏省教育厅厅长、党组书记、省委教育工委书记江涌，无锡市市委副书记、市长赵建军，东南大学党委书记左惟，东南大学校长黄如院士，副校长黄大卫、金石等出席揭牌仪式。相关企业代表，校友代表，兄弟院系代表，学校各职能部处和相关学院的老师同学参加了活动。东南...