搜索结果: 16-30 共查到“知识要闻 半导体技术”相关记录1118条 . 查询时间(1.484 秒)
中国科学院半导体所在可调谐MEMS-VCSEL研究方面取得进展(图)
智能 激光 集成
2024/8/11
波长连续调谐(扫频)垂直腔面发射激光器(VCSEL)在光学相干层析成像(OCT)、调频连续波(FMCW)激光雷达、智能制造等领域有重要应用。在这些应用中,对可调谐VCSEL进行功率监测至关重要。此外,VCSEL具有单纵模、低功耗、易于二维阵列集成等优点,是垂直集成光子系统的理想光源。在未来用于人工智能和传感等领域的三维垂直集成光子系统中,具有宽带波长调谐和集成功率监测功能的VCSEL是关键器件。
中国通信学会推荐的4项技术入围2023年“科创中国”先导技术榜
中国通信学会 电子信息 科创中国 先导技术榜
2024/9/19
中国科学院微电子所在存内计算处理器上取得进展(图)
计算 系统应用 电子'集成电路
2024/8/11
存内计算(CIM)芯片相比传统冯诺依曼架构芯片在宏单元层级实现了高能效,但系统层级的复杂周边电路使得系统能效仍然受限,系统/宏单元能效比通常低40%,使其在面向神经网络和推荐系统应用领域仍然存在一些挑战。此外,对存储主导(例如推荐系统的嵌入层)的操作,需要大量的片外访问,由于嵌入表不能被完全存储到片上,即使采用内容可寻址存储器(CAM),仍会导致大量的片外访问和较高的片上CAM搜索功耗。
2024年7月5日,中国科学院微电子所高频高压中心GaN功率电子器件研发团队的2篇论文入选第36届功率半导体器件和集成电路国际会议(ISPSD),其中戴心玥博士的口头报告“An Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT withIsland-Ohmic p-GaN featuring stable thresholdvoltage and large gate swing”荣...
中国科学院微电子所在高吞吐率SRAM存内计算处理器芯片领域取得进展(图)
计算 电路 电子
2024/8/11
目前,ChatGPT等大型AI算法的出现对计算设备性能提出了更高要求。存内计算(CIM)有效缓解了传统冯诺依曼架构中的内存墙问题。尽管无法完全解决存储墙问题,但CIM架构通过定制化设计方法将存储单元和计算电路结合在一起,本质上提高了操作数的传输带宽,大大降低了这部分数据的传输代价。近年来,许多具有高计算能效的数字CIM架构处理器的工作被提出。这些工作通过定制化设计数据路径控制微架构和稀疏优化微架构...
中国科学技术大学在半导体材料碲中发现巨大且可调的室温非线性霍尔效应(图)
半导体材料 碲 室温 非线性霍尔效应
2024/9/3
苏州纳米所梁伟团队在超窄线宽外腔倍频可见光半导体激光研发领域取得新进展(图)
梁伟 半导体激光 集成
2024/7/20
单频窄线宽可见光及近可见光半导体激光源是光学原子钟、相干光通信与传感、集成光频梳、汽车导航系统和高分辨率光谱学等领域的核心光学器件。为满足低成本和小型化需求,去年国外学者提出了将分布式反馈(DFB)激光自注入锁定(SIL)技术与微环外腔谐振倍频(SHG)技术相结合的新方案。但是,微环腔相对低的品质因子(Q)不利于压窄线宽,为高效倍频采取的双谐振设计难以实现连续调频,且已知最高的SIL-SHG输出功...
中国科学技术大学在高性能二维半导体晶体管领域取得重要进展(图)
二维半导体 晶体管 晶体管阵列
2024/9/3
“芯”路同行,集创未来|浙江大学第四届微纳学术节圆满落幕(图)
浙江大学 第四届 微纳 集成电路
2024/8/7
喜报!中国电子学会提名的8个项目荣获2023年度国家科学技术奖!(图)
中国电子学会 科学技术奖
2024/9/18
中国科学院成都分院重庆研究院在薄膜光伏领域取得新进展(图)
薄膜光伏 光电性能 有机半导体材料
2024/7/21
有机半导体材料在溶液中预聚集直接影响后续成膜及光电性能。对于溶液中有机半导体聚集行为的直接观测,有助于解析这一类超越分子层次的特殊构效关系。冷冻电镜可以将溶液态的分子迅速冷冻定型,由此可以直观揭示有机分子在溶液中的聚集行为。2024年6月14日,中国科学院重庆绿色智能技术研究院(以下简称重庆研究院)研究人员与沙特阿卜杜拉国王科技大学的研究人员合作,通过冷冻电镜对有机光伏材料分子的溶液聚集行为进行了...
北京时间2024年6月7日,电子科技大学光电科学与工程学院刘富才教授团队在全球顶级学术期刊Science《科学》上以First Release形式在线发表了题为“Developing fatigue-resistant ferroelectrics using interlayer sliding switching”最新研究成果。电子科技大学为第一完成单位,刘富才教授为共同通讯作者,光电科学与工...
中国科学院宁波材料所在氮化钛单晶的强关联电子研究方面取得进展(图)
氮化钛单晶 电子 半导体芯片
2024/6/19
由于具有高硬、难熔、耐磨、耐腐蚀、高导电性、良好半导体及生物兼容性等优异综合物理化学性质,以氮化钛(TiN)为代表的过渡金属氮化物在极端环境涂层、半导体芯片、生物医疗、纳米光子学、超导量子计算等领域的很多方面具有不可替代性。同时,过渡金属氮化物也展现出了许多新奇的量子现象,如超导-绝缘转变、超绝缘态以及超导赝能隙等。然而,与被广泛研究的过渡金属氧化物和过渡金属硫化物相比,由于缺乏高质量单晶材料,对...