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中国科学院微电子所28nm 嵌入式RRAM IP赋能先进显示芯片在京量产
电子 半导体 集成电路
2024/11/7
当前,Flash遇到制程微缩瓶颈,大规模量产停滞在40nm。微电子所刘明院士团队推出创新突破性的28nm嵌入式RRAM IP,成功应用于全球首款28nm先进显示芯片并实现量产。
2024年11月6日,北京经济技术开发区(北京亦庄)显示高技术企业宣布全球首款应用28nm RRAM IP 的28nm先进工艺SoC高端显示芯片在京完成量产,并成功应用于国内头部客户的Mini LED(次毫米发光二极管)...
中国科学院半导体所提出免于退极化效应的光学声子软化新理论(图)
半导体 光学 声子 理论
2024/11/7
通过晶体管持续小型化提升集成度的摩尔定律已接近物理极限,主要瓶颈是晶体管功耗难以等比例降低。进一步降低功耗有两个主要途径:其一是寻找拥有比HfO2 更高介电常数和更大带隙的新型高k氧化物介电材料,确保不降低栅控能力的前提下增厚栅介电层,遏制量子隧穿效应引起的栅极漏电流;另一个是采用铁电/电介质栅堆叠的负电容晶体管(NCFET),突破传统晶体管室温60 mV/dec的亚阈值摆幅限制,进而...
分子内非共价相互作用能够锁定平面构象,显著提升共轭骨架的共平面性和刚性,进而增强载流子的迁移率。这一特性已在有机太阳能电池、有机光电探测器及有机场效应晶体管等多个领域得到广泛应用,并逐渐成为设计高性能有机/高分子半导体材料的关键策略之一。然而迄今为止,尚未有可靠的方法能够直接表征薄膜体系中分子内非共价相互作用和相应构象的存在。
中国科学院物理研究所二维半导体Cr8Se12的合成和类笼目能带的实验观测(图)
二维半导体 合成 观测
2024/11/4
材料的电子结构受其几何结构和材料维度的影响。一些具有特殊几何构型的晶格,如笼目晶格、Lieb晶格、着色三角晶格等,具有电子阻挫效应产生的无色散的能带,即平带,其中存在丰富的电子关联效应。最近,人们在三维笼目金属中已经观察到多种关联电子态,例如巨大的反常霍尔效应、量子自旋液体、手性电荷密度波和非常规超导等。另一方面,与半导体工业中常用的三维半导体相比,二维半导体由于良好的开关性能和更强的库仑相互作用...
南方科技大学深港微电子学院方小虎课题组在TMTT杂志发表2项新研究成果(图)
方小虎 TMTT杂志 毫米波 放大器
2024/10/24
南方科技大学林苑菁课题组在柔性微纳生物传感器与系统领域取得新进展(图)
林苑菁 柔性 微纳 生物传感器
2024/10/24
中国科学院物理研究所铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池缺陷鉴别和调控取得重要进展(图)
薄膜 太阳能电池 器件
2024/11/4
铜锌锡硫硒(Cu2ZnSn(S, Se)4,CZTSSe)太阳能电池因其组成元素丰度高且无毒、工业兼容性好等优点,为实现大规模、低成本薄膜光伏应用提供了重要路径,吸引了广泛关注。然而,CZTSSe材料的多元组分使其表现出复杂的原子自掺杂和缺陷特性,导致电池器件电荷非辐射复合和光电转换效率损失。通过缺陷调控实现电池效率提升面临重要挑战。一方面,电池器件电荷损失的微观路径及相应的缺陷在实验中尚未被准确...
2023年全球单层瓷介电容器市场规模下降1.9%
单层 瓷介 电容器
2024/10/14