搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 集成电路技术”相关记录422条 . 查询时间(1.718 秒)
集成电路静电保护的要求、设计与优化培训顺利开展(图)
集成电路 静电保护 刘俊杰
2024/10/25
Power IC Technology培训通知
Power IC Technology 培训通知 芯片设计 集成电路
2024/10/25
上海微系统所“柔性单晶硅太阳电池技术”入选“2023年光伏领域重大科技进展”(图)
柔性 太阳电池 集成电路
2024/8/28
2024年8月15-18日,第十九届中国可再生能源学会在陕西西安召开,光伏专委会发布了2024年太阳电池中国最高效率、2023年光伏领域重大科技进展,集成电路材料全国重点实验室纳米材料与器件实验室新能源技术中心课题组的“柔性单晶硅太阳电池技术”入选“2023年光伏领域重大科技进展”。
南方科技大学深港微电子学院林龙扬课题组在超低功耗和超低温集成电路设计领域取得新进展
林龙扬 超低功耗 超低温 集成电路
2024/10/24
中国科学院金属所等发明热发射极晶体管(图)
金属 晶体管 集成电路
2024/8/16
集成电路是现代信息技术的基石,而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小,其进一步发展的挑战日益增多。因此,探索具有新工作原理的晶体管,已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输,而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能,展现出突破现有晶体管技术限制的潜力。然而,过去的热载流子晶体管主要依靠隧穿注入和电场加速来生成热载流子,由于界面势垒的...
中国科学院沈阳分院金属所发明热发射极晶体管(图)
金属 晶体管 集成电路
2024/8/16
集成电路是现代信息技术的基石,而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小,其进一步发展的挑战日益增多。因此,探索具有新工作原理的晶体管,已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输,而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能,展现出突破现有晶体管技术限制的潜力。然而,过去的热载流子晶体管主要依靠隧穿注入和电场加速来生成热载流子,由于界面势垒的...
国家自然科学基金委员会中国学者在n型有机半导体的稳定性研究中取得进展(图)
有机半导体 集成电路
2024/8/25
在国家自然科学基金项目(批准号:52225304、52121002、52073210、52073210)等资助下,天津大学理学院胡文平/李立强团队在n型有机半导体的稳定性研究中取得进展,相关研究成果以“利用维生素C提高n型有机半导体的性能和稳定性(Improving both performance and stability of n-type organic semiconductors by...
2024广东省集成电路产业发展高级研修班将于2024年9月开班!(图)
广东省 集成电路 高级研修班 武汉大学
2024/10/23
中国科学院苏州纳米所张兴旺团队AM:二维半导体自旋-轨道锁定涡旋光源(图)
张兴旺 二维半导体 集成 光子器件
2024/8/13
在集成光子器件领域,二维半导体材料由于具有独特的激子发光特性、优异的机械性能、高导热率和载流子迁移率等,在可集成光源器件上展现出独特的优势。尤为重要的是单层二维半导体具有原子级的平整度且没有悬挂键,因此易于与其他材料以范德华力实现异质集成,有效地避免了晶格失配问题,为高集成度、高性能的光源器件设计提供了新平台。然而,当二维半导体材料的厚度降至原子级时,材料与光场的相互作用很弱,发光效率受限。另外精...
中国科学院微电子所在高性能锁相环芯片方面取得新进展(图)
高性能 集成电路
2024/8/11
2024年7月15日,2024 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits在美国召开,微电子所抗辐照器件技术重点实验室李博研究员、杨尊松研究员团队在会上展示了高性能锁相环芯片的最新研究进展。
中国科学院半导体所在可调谐MEMS-VCSEL研究方面取得进展(图)
智能 激光 集成
2024/8/11
波长连续调谐(扫频)垂直腔面发射激光器(VCSEL)在光学相干层析成像(OCT)、调频连续波(FMCW)激光雷达、智能制造等领域有重要应用。在这些应用中,对可调谐VCSEL进行功率监测至关重要。此外,VCSEL具有单纵模、低功耗、易于二维阵列集成等优点,是垂直集成光子系统的理想光源。在未来用于人工智能和传感等领域的三维垂直集成光子系统中,具有宽带波长调谐和集成功率监测功能的VCSEL是关键器件。