搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 半导体技术”相关记录1283条 . 查询时间(5.9 秒)
中国科学院稀土掺杂氧化钛光催化分解水制氢取得突破（图）
催化 电解 半导体材料
2025/4/12
150年前，科幻大师凡尔纳预言，水将成为终极燃料。科学家一直努力发展能够将这一预言变为现实的各种可能的技术。其中包括通过阳光直接分解水获取氢气，这项被称为“光催化分解水”的技术属于低碳技术。
中国科学院研究提出新型平面型面发光有机发光晶体管器件结构（图）
有机 晶体管 器件结构
2025/4/13
有机发光晶体管作为集成电流放大功能和发光功能于一体的新型电致发光器件，被认为是开发下一代变革性显示技术的理想器件基元。窄光谱电致发光器件在广色域显示、光通信和光诊疗方面具有重要意义，对实现更逼真的图像、更大容量的数据传输和特殊医疗诊断等起到重要作用。通过设计合成窄光谱活性材料或引入特殊的光学设计，有机发光二极管可以降低半峰宽至20nm~40nm。然而，目前的有机发光晶体管的半峰宽值普遍集中在30n...
中国科学院物理研究所发现金属室温d波交错磁体KV2Se2O（图）
金属 半导体材料 电子
2025/4/17
作为一类新型磁性材料，交错磁体的核心特征在于零净磁化强度和动量依赖自旋劈裂的能带结构，突破了传统铁磁体与反铁磁体的分类框架。角分辨光电子能谱（ARPES）测量首先在半导体材料MnTe和MnTe2中观测到自旋劈裂的能带结构，实验上确认了交错磁体的存在。相比之下，金属性的交错磁体不仅为研究低能准粒子激发提供了独特的平台，同时在自旋电子学应用方面具有巨大潜力。
中国科学院长春光机所Bimberg中德绿色光子学研究中心团队在高速低功耗垂直腔面发射激光器（VCSEL）研究领域取得重要进展，实现VCSEL在100 m长光纤下基于NRZ调制60Gb/s无误码传输速率，功耗98fJ/bit@50Gb/s、168fJ/bit@60Gb/s，指标达同类型器件国际先进水平。相关成果发表于Applied Physics Letters 126, 091101 (2025)...
中国科学院长春光机所优化并制备出高亮度HiBBEE非均匀波导半导体激光器（图）
半导体 激光器 光子
2025/4/21
高亮度半导体激光器在激光雷达等领域有着极其重要的应用。传统的半导体激光器面临垂直发散角大、椭圆光束输出、侧向模式多、光束质量差等难题，限制了高亮度半导体激光器的直接应用。
中国科学院上海微系统所在石墨烯基芯片散热领域取得进展（图）
集成电路 材料 气体
2025/3/5
随着集成电路功率密度的不断增加，散热问题已成为制约芯片性能、稳定性和寿命的瓶颈。石墨烯因其优异的导热性能（单层石墨烯热导率高达5300 W·m⁻1·K⁻1）被认为是理想的热管理材料，由石墨烯片组装而成的石墨烯膜已在5G通讯终端中获得广泛应用。然而，随着芯片性能的不断提升，现有石墨烯膜已无法满足实际应用对热流承载能力的要求。石墨烯膜的热流承载能力由其热导率和厚度共同决定，如何...
中国科学院微电子所在Chiplet热仿真工具研究方面取得新进展（图）
电子 仿真 集成
2025/4/20
芯粒异构集成给半导体行业带来一次重大升级，能有效解决芯片设计制造中的诸多瓶颈。然而，高密度集成在降低算力芯片成本的同时也面临功耗显著增加、散热困难等技术挑战，热管理成为提升芯片性能的关键问题。如何针对芯粒异构集成的复杂性，提出新的热仿真方法，这对Chiplet热管理技术提出了新的要求。
针对以上问题，微电子所EDA中心多物理场仿真课题组构建了芯粒集成三维网格型瞬态热流仿真模型，能够实现Chipl...
国家自然科学基金委员会中国学者在高质量二维半导体材料生长方面取得进展（图）
半导体材料 晶体 集成电路
2025/2/23
在国家自然科学基金项目（批准号：52225206、51991340）等资助下，北京科技大学张跃院士和张铮教授团队在二维单晶材料规模化生长方面取得进展。相关研究成果以“二维柴可拉斯基法生长单晶二硫化钼（Two-dimensional Czochralski growth of single-crystal MoS₂）”为题，于2025年1月10以封面文章的形式发表于《自然·材料》（Nat...
国家自然科学基金委员会中国学者在高迁移率白色有机偏振发光半导体研究中取得进展（图）
有机 半导体 器件
2025/2/23
在国家自然科学基金项目（批准号：52233010、52403342、52121002、U21A6002）等资助支持下，中国科学院化学研究所董焕丽研究员课题组与天津大学胡文平教授课题组合作在高迁移率白色有机偏振发光半导体材料研究方面取得新进展，相关研究成果以“本征白色有机偏振发光半导体（Intrinsically white organic polarized emissive semiconduc...
中国科学院微电子所在高性能GAA器件方面取得新进展（图）
电子 高性能 器件
2025/3/2
全环绕栅（GAA）器件具有极佳的栅控特性、更高的驱动性能以及更多的电路设计灵活性，是主流集成电路制造继FinFET之后的核心晶体管结构。目前，三星电子（Samsung）、台积电（Intel）与因特尔（TSMC）已经或者即将在3纳米及以下技术节点采用该器件进行工艺量产。但其被内侧墙隔开的堆叠纳米片沟道会导致非连续源漏选择外延进而产生大量缺陷，引起源漏应变减弱与驱动电流退化，造成较严重的源漏寄生电阻效...
中国科学院物理研究所中规模二维柔性集成电路（图）
二维 柔性 集成电路
2025/2/26
柔性电子技术是一项跨学科融合的颠覆性科学技术，突破了传统硅基电子器件的固有局限，为后摩尔时代的器件设计与集成、能源革命、医疗技术变革、人机交互等领域提供了创新驱动，将强有力地支撑未来智慧生活的实现。特别是多功能柔性集成电路的发展，为人与物体及环境之间的信息处理、交互以及深度融合奠定了坚实基础，加速了万物互联（IoE）时代的到来。然而，现阶段基于有机半导体、氧化铟镓锌、碳纳米管以及非晶硅/多晶硅等材...
2025年1月22日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所欧欣研究团队与美国科罗拉多大学Gabriel Santamaria Botello教授、瑞士洛桑联邦理工学院Tobias J. Kippenberg教授团队合作，在基于绝缘体上钽酸锂单晶薄膜的电光频率梳芯片研究上再次取得了重要研究进展。相关工作 “Ultrabroadband integrated electro-optic frequen...
近日，我院特任研究员胡芹课题组在无铅钙钛矿结晶调控与缺陷机理分析研究中取得新进展。针对无铅锡基钙钛矿半导体中易被氧化、快速结晶、稳定性差等问题，该课题组设计了一种减缓钙钛矿结晶的分子桥接优化策略，有效提升了薄膜结晶质量，抑制了光生载流子的非辐射复合，并利用基于同步辐射X射线的原位散射技术监测了锡基钙钛矿的结晶过程，阐述了结晶动力学机理。该工作为深入了解无铅锡基钙钛矿结晶动力学和锡基钙钛矿半导体器件...
偏振光的发射与控制是实现高维信息传输和检测的基础，在显示、照明和光通信等领域都具有重要的应用价值。相比于传统基于多重光学结构获得偏振光方式来讲，利用材料本征结构各向异性直接实现偏振光发射，具有制备工艺简单、对比度高、能量损失低，易于器件小型化和集成化等优势，在未来信息显示领域具有很好的应用前景。对于本征有机偏振发光半导体材料领域研究来讲，由于受到Kasha规则和蒸镀掺杂薄膜本征无序特性的限制，高迁...
近日，我院石媛媛教授团队与合肥综合性国家科学中心人工智能研究院何立新教授团队合作，通过在模拟型阻变随机存储器（RRAM）的阻变层中加入单层（ML）MoS2来控制导电细丝（conductive filament,CF）的形成，极大提升了模拟型RRAM的均一性、线性和对称性，相关成果以“Uniformity,Linearity,and Symmetry Enhancement in TiOx/MoS2...