搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 半导体器件与技术”相关记录152条 . 查询时间(1.828 秒)
南方科技大学深港微电子学院方小虎课题组在TMTT杂志发表2项新研究成果（图）
方小虎 TMTT杂志 毫米波 放大器
2024/10/24
近日，南方科技大学深港微电子学院助理教授方小虎团队在线性毫米波GaN单片集成Doherty功率放大器和宽带无开关G类放大器研究领域中取得进展，相关研究成果分别以“A Linear Millimeter-Wave GaN MMIC Doherty Power Amplifier With Improved AM-AM and AM-PM Characteristics”和“Switchless Cl...
近日，南方科技大学深港微电子学院助理教授林苑菁课题组在高稳定性电化学材料设计与器件性能衰退机理研究领域取得新进展，与合作者在学术期刊Nature Nanotechnology、Nature Communications、Energy&Environmental Science、Advanced Materials上发布四篇研究类论文。
在智能化的浪潮中，珠海正和微芯科技有限公司以其全新力作RS6240芯片，开启了全场景智能化的新篇章。2024年8月28日，这款低功耗、抗干扰、远距离的4D毫米波雷达SoC芯片正式发布，标志着智能家居、智慧康养、智能安防、智能汽车等领域深度智能化落地的加速。
炬芯科技股份有限公司荣获“2024年度领军企业奖”
炬芯科技 领军 企业奖 芯片
2024/10/23
2024年8月27-29日，elexcon2024深圳国际电子展在福田会展中心盛大开幕！汇聚全球优质品牌厂商齐聚现场，打造电子全产业链创新展示、一站式采购及技术交流平台。集中展示AI+嵌入式、存储、车规级芯片、智能传感、RISC-V技术与生态、AIoT方案、无源器件/分立器件、PMIC与功率器件、Chiplet和SiP先进封装等。展会期间同期举办一系列技术论坛，展示全球产业动态及未来技术趋势。
近日，南方科技大学深港微电子学院于洪宇、王中锐教授课题组在氮化镓感算一体器件及系统领域取得新进展，双方合作在学术期刊Device上发布研究类论文。物联网（IoT）和人工智能（AI）的快速兴起，促成了智能边缘传感生态系统的发展。其中，智能气体传感器受到了极大关注，并在环境监测、工业安全和医疗信息学等多种应用领域展现出巨大的潜力，智能气体传感器被期望具备能源效率高、小型化和计算友好等特性，以满足智能边...
英飞凌研发低成本氮化镓芯片获突破
英飞凌 氮化镓 芯片 节能
2024/10/22
据德国《商报》网站2024年9月11日报道，英飞凌公司预计其节能芯片业务将获得强劲推动：这家德国上市公司已开发出一种工艺，能以更低成本生产由创新材料氮化镓制成的芯片。总部位于慕尼黑的英飞凌公司周三宣布了这一消息。
泰芯半导体通用MCU芯片设计，揭秘暴力风扇强劲“心脏”带来的科技革新
泰芯半导体 MCU芯片 暴力风扇 心脏
2024/10/23
出色性能表现的暴力风扇广泛应用于工业生产中的通风散热、环境控制领域的空气净化除尘，以及农业领域的温度调节、蚊虫驱赶等多个场景。这一切成就的背后，离不开其强劲的“心脏”。合作伙伴众汇芯基于泰芯半导体通用MCU芯片设计，为暴力风扇带来了前所未有的卓越性能与广泛的应用潜力。让我们一同深入探索，这颗“心脏”究竟是如何引领这场科技革新的。
中国科学院半导体研究所在垂直自旋器件的全电写入关键技术方面取得进展（图）
垂直 自旋 器件 全电写入
2024/10/25
近日，朱礼军课题组发现：用Ta、Ir等取代非对称构型器件中的Pt作为自旋霍尔材料可以同时打破ℳxy和ℳxz镜面对称性，进而在自旋霍尔材料中高效产生垂直极化自旋流，且其产生垂直自旋流的效率可与其产生面内极化自旋流的效率相当。基于该机制实验演示了垂直磁随机存储器（p-MRAM）的核心结构——Ta/FeCoB异质结的全电翻转（图1），相较文献中其他全电写入方案总电流密度降低一个数...
CMOS数据转换器的基础与实现圆满举办（图）
CMOS 数据转化器
2024/10/25
2024年8月13日-14日，由国家集成电路设计深圳产业化基地(SZICC)和芯动力人才计划联合开展的2024年第二场国际名家讲堂在深圳软件园顺利举办。本次课程特邀比利时鲁汶大学ESAT-MICAS电气工程系副教授——Filip Tavernier，采用“线下视频观摩+线上专家在线答疑”的模式，进行了为期两天的《CMOS数据转换器的基础与实现》专题讲座。
2024年7月24日，哈尔滨工程大学计算机科学与技术学院举行了智汇论坛第二十三期活动，本次活动邀请伦敦大学国王学院胡义华教授讲授“面向人工智能支持的电力电子模块智能制造应用”专题讲座。
中国科学院半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展（图）
演化 光电 神经网络 器件
2024/8/11
III-族氮化物多采用蓝宝石衬底异质外延生长，由于大的晶格失配和热失配，导致高密度穿透位错（108-1010），极大地影响氮化物发光器件、电子电力器件性能。中国科学院半导体研究所刘志强研究员团队长期聚焦氮化物生长界面研究并形成系列研究成果，明确了原子尺度氮化物/蓝宝石生长界面构型（Small 2022, 18, 2200057），阐明了原子尺度界面应力释放机制（Nano Letters...
中国科学院半导体所等在砷化镓（GaAs）中产生自旋极化研究方面取得进展（图）
半导体材料 电子器件
2024/8/11
如何在半导体材料体系中产生自旋极化是半导体自旋电子学领域的关键科学问题，受到科研人员的广泛关注。常规方法是在磁性金属/半导体异质结中，通过自旋极化电流在半导体中注入净自旋。若能在非磁性半导体材料体系中产生自旋极化，将能有效避免磁性金属/半导体异质结中碰到的电导失配等难题，从而为相关自旋电子学效应的研究提供更多丰富选择。
近日，合肥工业大学微电子学院先进能源材料与器件实验室在无机硒硫化锑半导体薄膜及光伏器件制备方面取得重要进展，提出了一种Se元素浓度梯度调控策略来制备高质量Sb2(S,Se)3半导体薄膜及高效太阳能电池器件。相关研究成果以“Se-Elemental Concentration Gradient Regulation for Efficient Sb2(S,Se)3 Solar Cells with ...
中国通信学会推荐的4项技术入围2023年“科创中国”先导技术榜
中国通信学会 电子信息 科创中国 先导技术榜
2024/9/19
在2024年7月2日召开的第二十六届中国科协年会上，中国科协正式发布2023年“科创中国”系列榜单。榜单发布先导技术榜150项、新锐企业榜50项、融通创新组织榜10项、技术经理人先锋榜20项，共计230项入榜项目。
中国科学院宁波材料所在氮化钛单晶的强关联电子研究方面取得进展（图）
氮化钛单晶 电子 半导体芯片
2024/6/19
由于具有高硬、难熔、耐磨、耐腐蚀、高导电性、良好半导体及生物兼容性等优异综合物理化学性质，以氮化钛（TiN）为代表的过渡金属氮化物在极端环境涂层、半导体芯片、生物医疗、纳米光子学、超导量子计算等领域的很多方面具有不可替代性。同时，过渡金属氮化物也展现出了许多新奇的量子现象，如超导-绝缘转变、超绝缘态以及超导赝能隙等。然而，与被广泛研究的过渡金属氧化物和过渡金属硫化物相比，由于缺乏高质量单晶材料，对...