搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 半导体材料”相关记录235条 . 查询时间(2.172 秒)
中国科学院半导体所提出免于退极化效应的光学声子软化新理论（图）
半导体 光学 声子 理论
2024/11/7
通过晶体管持续小型化提升集成度的摩尔定律已接近物理极限，主要瓶颈是晶体管功耗难以等比例降低。进一步降低功耗有两个主要途径：其一是寻找拥有比HfO2 更高介电常数和更大带隙的新型高k氧化物介电材料，确保不降低栅控能力的前提下增厚栅介电层，遏制量子隧穿效应引起的栅极漏电流；另一个是采用铁电/电介质栅堆叠的负电容晶体管（NCFET），突破传统晶体管室温60 mV/dec的亚阈值摆幅限制，进而...
中国科学院微电子所在新型氧化物薄膜晶体管研究方面取得进展（图）
薄膜 晶体 半导体材料
2024/8/11
氧化物随即存储器因其较长的保持时间和有利于三维堆叠的优点，成为国际学术和产业界的关注点，其中In2O3-基薄膜晶体管由于其高迁移率而备受关注。In2O3中氧的不稳定性直接影响到器件的可靠性，为克服这一问题，传统的Ga或Zn掺杂需要较高的掺杂浓度，在提升器件可靠性的同时减低了迁移率。因此，需要提出更新的氧化物半导体材料体系，突破In2O3-基薄膜晶体管的迁移率和可靠性制约问题。
中国科学技术大学在半导体材料碲中发现巨大且可调的室温非线性霍尔效应（图）
半导体材料 碲 室温 非线性霍尔效应
2024/9/3
近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心国际功能材料量子设计中心和物理系中国科学院强耦合量子材料物理重点实验室曾长淦教授、李林副研究员研究团队联合高阳教授课题组，在固体材料非线性输运研究中取得重要进展。研究团队在单质半导体碲中观测到了巨大且可调的室温非线性霍尔效应，并实现了基于非线性霍尔效应的无线射频整流。相关研究成果以“Giant nonlinear Hall and wireles...
中国科学院成都分院重庆研究院在薄膜光伏领域取得新进展（图）
薄膜光伏 光电性能 有机半导体材料
2024/7/21
有机半导体材料在溶液中预聚集直接影响后续成膜及光电性能。对于溶液中有机半导体聚集行为的直接观测，有助于解析这一类超越分子层次的特殊构效关系。冷冻电镜可以将溶液态的分子迅速冷冻定型，由此可以直观揭示有机分子在溶液中的聚集行为。2024年6月14日，中国科学院重庆绿色智能技术研究院（以下简称重庆研究院）研究人员与沙特阿卜杜拉国王科技大学的研究人员合作，通过冷冻电镜对有机光伏材料分子的溶液聚集行为进行了...
北京时间2024年6月7日，电子科技大学光电科学与工程学院刘富才教授团队在全球顶级学术期刊Science《科学》上以First Release形式在线发表了题为“Developing fatigue-resistant ferroelectrics using interlayer sliding switching”最新研究成果。电子科技大学为第一完成单位，刘富才教授为共同通讯作者，光电科学与工...
中国工程院副院长李仲平率专家组调研中国科学院半导体研究所（图）
中国工程院 李仲平 半导体材料
2024/10/25
2024年4月26日下午，中国工程院副院长李仲平率材料领域某专家组调研半导体所，中国工程院院士陈良惠，党委书记、副所长冯仁国，副所长张韵，副所长薛春来，纪委书记翟金良以及科研骨干等参加调研座谈。座谈交流由冯仁国主持。
中华人民共和国科学技术部美国新技术可用于新型节能微电子设备开发
微电子 半导体材料 电子
2024/9/5
美国阿贡国家实验室科研人员开发出一项名为氧化还原门控的新技术，可以控制电子在半导体材料中的运动。科研人员设计了一种装置，可以通过在充当电子门的材料上施加电压来调节电子从一端到另一端的流动。当电压达到某个阈值时，材料将开始通过栅极从源氧化还原材料注入电子到沟道材料中。该技术可实现在低电压下大幅调节电流，从而改善电子设备的效率。此外，氧化还原门控技术还可用于开发新型低功耗半导体或量子器件，如类脑高效率...
国家纳米科学中心刘新风课题组实现室温下连续域束缚态中激子极化激元凝聚（图）
刘新风 光学 半导体材料
2024/8/8
国家纳米科学中心刘新风课题组与北京大学材料科学与工程学院张青课题组、清华大学物理系熊启华课题组，实现了室温下连续域束缚态（BICs）中激子极化激元凝聚，在低功率注入下获得了具有小发散角和长程相干性的涡旋光束，并探索了不同离散BIC激子极化激元模式间的光学开关效应，为激子极化激元器件在集成光子与拓扑光子学领域的实际应用奠定了基础。研究结果以Exciton Polariton Condensation...
中国科学院国家纳米中心在利用电子顺磁共振技术测量分子构象方面取得进展（图）
纳米 测量 分子 半导体材料
2024/4/26
分子半导体材料具有超长的室温自旋寿命，在实现室温高效自旋输运和调控方面具有很大潜力，其结构多样性、可设计性以及丰富的光电特性为分子自旋电子学的发展提供了广阔空间。分子半导体材料化学结构与自旋输运性质之间的构效关系研究是开发高效自旋输运分子半导体材料以及构建高效自旋器件的重要基础，而电子顺磁共振技术在分子材料自旋寿命探测中的应用为该研究方向的发展提供了有效的测量手段。
《自然·通讯》报道南京工业大学王琳教授团队二维材料生长新进展
自然·通讯 王琳 二维材料
2024/4/16
近日，南京工业大学柔性电子（未来技术）学院王琳教授团队与北京师范大学朱重钦教授团队在《自然·通讯》（Nature Communications）上发表题为“Growth of millimeter-sized 2D metal iodide crystals induced by ion-specific preference at water-air interfaces”的研究论文。我校硕士毕...
“材料赋能半导体·创新改变世界”——新型半导体产业化系列沙龙顺利举办（图）
半导体 材料 产业化
2024/10/24
2024年3月29日，DT新材料联合南方科技大学深港微电子学院共同举办的新型半导体产业化系列沙龙活动完美落幕。本次活动以“材料赋能半导体·创新改变世界”为主题，从“氮化镓器件新工艺研发和产业化合作探索”和“忆阻器商业化应用探索”两大主题深入探讨。南方科技大学深港微电子学院于洪宇教授、汪青研究教授，深圳大学射频异质异构集成全国重点实验室研究员郭跃进教授，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授，中国...
中国科学院金属所通过外延应变调控铁电极化 实现巨大隧穿电致电阻效应
铁电极化 器件结构 半导体电极材料
2024/3/15
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。铁电隧道结利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应以获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，近年来在信息存储领域备受关注。隧穿电致电阻 （或开关比）是衡量隧道结性能的核心指标。2005年，理论模型提出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强度等相...
勇挑大梁！东南大学信息科学与工程学院“信息超材料”亮相新闻联播！（图）
东南大学 信息超材料 新闻联播 移动通信
2024/6/26
2024年3月5日下午，习近平总书记在参加他所在的十四届全国人大二次会议江苏代表团审议时强调，要牢牢把握高质量发展这个首要任务，因地制宜发展新质生产力。总书记的重要讲话，在会场内外引发热烈反响，大家表示要深入学习贯彻总书记重要讲话精神，把握好发展新质生产力的精髓要义，坚定信心、鼓足干劲、勇挑大梁，为推进中国式现代化持续注入强劲动力。
中国科学院化学所在制备强荧光二维共轭聚合物半导体材料方面获进展
聚合物 半导体材料 光电性能
2024/3/15
二维共轭聚合物（2DCPs）是一类新型的半导体材料体系。2DCPs独特的拓展二维共轭结构，预示着优异的光电特性，在有机电子学领域颇具应用前景。然而，目前报道的多数2DCPs材料的光电性能相对较差，以及具有强荧光特性的二维共轭聚合物半导体方面的报道较少。该类材料荧光猝灭的原因是2DCPs体系中紧密的层间π-π堆叠使其能量耗散严重，导致其不发光或者荧光特性差。
中国科学院金属研究所外延应变调控铁电极化实现巨大隧穿电致电阻效应（图）
铁电极化 半导体 界面
2024/3/18
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构，它利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应来获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于其中铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，2024年来在信息存储领域受到广泛关注。隧穿电致电阻 (或开关比) 是衡量隧道结性能的核心指标。2005年理论模型指出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强...