搜索结果: 1-15 共查到“半导体技术 碳”相关记录49条 . 查询时间(0.188 秒)
中国科学院合肥研究院等创制出套娃结构碳管阵列并构筑出小型化滤波电容器（图）
滤波电容器 集成电路 芯片
2024/3/15
2024年3月15日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员孟国文和韩方明团队，与美国特拉华大学教授魏秉庆合作，在前期基于结构一体化三维互连碳管网格膜的高性能滤波电容器的基础上，设计制备了类似“俄罗斯套娃”结构的多壳层同轴碳管的三维互连阵列，进而将其作为对称型双电层电容器的电极，构建了新型滤波超级电容器。类套娃结构的多壳层同轴碳管阵列在提高电极面积和比电容的同时，不影响电解液离子的传输速...
中国科学院宁波材料所等在sp2碳共轭有机框架材料构筑方面获进展（图）
有机框架材料 半导体材料
2024/1/26
二维共价有机框架（2D COFs）聚合物作为新一代有机半导体材料，具有可调的光电性质、开放的纳米孔道和丰富的活性位点，在光电催化、能源转换和有机电子等领域展现出应用前景。特别是碳碳双键连接的共价有机框架聚合物（sp2c-COFs）凭借拓展的π共轭、优异的稳定性和高载流子迁移率等特性，成为COFs领域研究前沿方向。然而，有限的成键化学、较高的反应势垒和较差的可逆性，导致sp2c-COFs合成困难并限...
宁波材料所在sp2碳共轭有机框架聚合物新材料设计制备方面取得重要进展（图）
有机框架 聚合物 半导体材料
2024/1/16
二维共价有机框架（2D COFs）聚合物作为新一代有机半导体材料，具有可调的光电性质、开放的纳米孔道和丰富的活性位点，在光电催化、能源转换和有机电子等领域展现出广阔的应用前景。特别是碳碳双键连接的共价有机框架聚合物（sp2c-COFs）凭借其拓展的π共轭、优异的稳定性和高载流子迁移率等特性，成为COFs领域研究前沿方向。然而，有限的成键化学、较高的反应势垒和较差的可逆性导致sp2c-COFs合成困...
上海硅酸盐所在碳化硅陶瓷增材制造研究方面取得新进展（图）
碳化硅陶瓷 电子半导体
2023/11/29
碳化硅（SiC）陶瓷结构件在各类新应用场景的需求正在逐渐增多，其中包括核工业领域的大尺寸复杂形状SiC陶瓷核反应堆芯；集成电路制造关键装备光刻机的SiC陶瓷工件台、导轨、反射镜、陶瓷吸盘、手臂等；新能源锂电池生产配套的中高端精密SiC陶瓷结构件；光伏行业生产用扩散炉配套高端精密SiC陶瓷结构件和电子半导体高端芯片生产制程用精密高纯SiC陶瓷结构件。但是由于SiC 是Si-C键很强的共价键化合物，硬...
中国科学院金属研究所专利：一种大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法
中国科学院金属研究所 专利 半导体性 单壁 碳纳米管
2023/9/26
本发明涉及单壁碳纳米管领域,具体为一种化学气相沉积原位弱氧化与后处理氧化相结合大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法。在化学气相沉积生长单壁碳纳米管过程中引入微量的氧气,再将制备得到的单壁碳纳米管在适当温度下于空气中氧化。以二茂铁为催化剂前驱体、氢气为载气、硫粉为生长促进剂、在一定温度下同时通入碳源气体和微量氧气进行单壁碳纳米管的生长和原位弱氧化。将所得单壁碳纳米管样品在空气气氛和较低温度下长时间氧化...
本发明涉及高质量半导体性单壁碳纳米管的制备领域,具体为一种氢气原位弱刻蚀直接生长高质量半导体性单壁碳纳米管的方法。以二茂铁等为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、有机低碳烃为碳源的条件下,通过调节优化载气氢气的流量,在一定反应温度下可原位刻蚀掉金属性和小直径单壁碳纳米管,最终获得高质量、半导体性占优的单壁碳纳米管,其中半导体性单壁碳纳米管的含量≥91wt%,直径分布在1.5-2.5nm之间,集中氧化温...
中国科学院金属研究所专利：窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法
中国科学院金属研究所专利：窄带隙分布、高纯度半导体性单壁碳纳米管的制备方法
中国科学院微电子研究所专利：一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法
中国科学院微电子研究所专利：一种碳基场效应晶体管及其制备方法
中国科学院微电子研究所 专利 碳基 场效应晶体管
2023/7/6
中国科学院微电子研究所专利：一种碳基场效应晶体管及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利：带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法
中国科学院微电子研究所专利：一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法
据晶盛机电官微消息，2023年2月4日，晶盛机电6英寸双片式碳化硅外延设备新品发布会圆满落幕，标志着晶盛机电在第三代半导体领域取得重大突破。
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...